吴中发电车1000KW--【中动电力】
可控硅包括单向可控硅和双向可控硅两种，都有三个脚。单向可控硅的三个引脚分别是G（控制极）、K（阴极）、阳极（A）。双向可控硅的三个引脚分别是G（控制极）、T1（输入端）、T2（输出端）。双向可控硅其实就是由两只单项可控硅反向并联构成的。单向可控硅图分辨单、双向可控硅的方法，用万用表的RX1档分别对可控硅三个引脚进行两两正反测量，这样测完一个可控硅需要测6次，6次中测量中只有一次测量值为几十至几百欧，就可判定这个可控硅是单向可控硅。


MOS管型防反接保护电路利用了MOS管的关特性，控制电路的导通和断来设计防反接保护电路，由于功率MOS管的内阻很小，现在MOSFETRds（on）已经能够到毫欧级，解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。极性反接保护将保护用场效应管与被保护电路串联连接。保护用场效应管为PMOS场效应管或NMOS场效应管。若为PMOS，其栅极和源极分别连接被保护电路的接地端和电源端，其漏极连接被保护电路中PMOS元件的衬底。